Istraživači iz Kine ostvarili su proboj u sektoru industrije poluprovodnika razvojem pikosekundnog fleš memorijskog uređaja.
Pomenuti uređaj, prema navodima istraživača sa Fudan univerziteta u Šangaju, može da se pohvali impresivnom brzinom pristupa od 400 pikosekundi (ili 0,4 nanosekunde), što je ekvivalentno operacijama od 25 milijardi puta u sekundi.
Istraživački tim je ovu inovaciju nazvao “PoX”, a trenutno se smatra najbržim poluprovodničkim uređajem za skladištenje naboja poznatim do sada.
Prema Džou Pengu, vodećem naučniku na projektu i istraživaču u Državnoj ključnoj laboratoriji integrisanih čipova i sistema, “Ovo je kao da uređaj radi milijardu puta u treptaju oka, dok U disk (USB fleš disk) može da radi samo 1.000 puta. Prethodni svjetski rekord za sličnu tehnologiju bio je dva miliona”. Verzija USB, sa kojom se poredi, nije pomenuta.
Postojeće trajne memorije, kao što je fleš memorija, zadržavaju podatke čak i bez napajanja i troše minimalnu energiju. Međutim, njihove brzine pristupa podacima su sporije od tipova nestabilnih memorija kao što su SRAM i DRAM. Za razliku od nepromjenljive memorije, SRAM i DRAM gube podatke kada se napajanje prekine, što ih čini neprikladnim za scenarije energije niske potrošnje.
Tim iz Fudana riješio je ovaj jaz tako što je razvio novi pristup tehnologiji nepromjenljive memorije. Implementirao je mehanizam fizike uređaja koji koristi dvodimenzionalnu strukturu Dirakovog pojasa i svojstva balističkog transporta. Modulacijom Gausove dužine dvodimenzionalnog kanala, istraživači su postigli ono što su opisali kao “super-injektiranje” naboja kanala u memorijski sloj za skladištenje.
Očekuje se da će ovo otkriće imati značajne implikacije u više domena, posebno u podršci ultra brzim računarskim zahtjevima velikih AI modela. Pored toga, isplativost i skalabilnost fleš memorije čine je kamenom temeljcom za tehnološka dostignuća i industrijske primjene širom svijeta.
